電子制造應(yīng)關(guān)注超純水水質(zhì)，在大規(guī)模IC的超純水水質(zhì)中，優(yōu)先關(guān)注的水質(zhì)指標(biāo)為：電阻率、微粒、TOC(總有機(jī)硅)、硅、堿金屬、堿土金屬、重金屬、溶解氧、在超純水中，細(xì)菌的影響與TOC、微粒基本相同，在IC光刻工序的清洗用水中假如含有不純物質(zhì)或微粒，將導(dǎo)致柵氧化膜厚度不均，產(chǎn)品圖形發(fā)生缺陷，耐壓性變差，超純水中的微量有機(jī)物會使產(chǎn)品結(jié)晶不良，在IC芯片制造過程中，與硅片接觸的水所含離子越多，對產(chǎn)品良率影響就越大。電阻率反映了超純水中離子的含量，超純水的電阻率越高，其純度也就越高。一般來講，在25℃時(shí)，理論純水的電阻率是18.25MΩ·cm。

應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體材料、光電子產(chǎn)品、高科技精微產(chǎn)品超純水設(shè)備；

水源：市政自來水                               水質(zhì)要求：a、電阻率：≥18.2MΩ/cm

壓力：0.35MPa                                            b、TOC：   ＜10mg/L                                          

溫度：25℃                                               C:Particle：＜0.1μm

PH：  6-8                                                d:Particle：＜0.2μm

有機(jī)物：（TOC）≤0.5 （建議為零）                        重金屬：（Fe、Mn）≤0.01mg/L 

工藝流程;

原水→預(yù)處理→保安過濾器→中間水箱→一級高壓泵→一級RO反滲透裝置→一級RO水箱→二級高壓泵→二級RO反滲透裝置→二級RO水箱→EDI增壓泵→EDI(CEDI)電去離子水系統(tǒng)→氮封水箱→核子級拋光混床→終端精密過濾器→UV紫外線殺菌→終端用水點(diǎn)。